半導(dǎo)體等離子去膠機(jī)是利用等離子體技術(shù)去除半導(dǎo)體制造過(guò)程中光刻膠的專用設(shè)備。其核心原理是通過(guò)等離子體中的高能粒子與光刻膠發(fā)生物理或化學(xué)作用，實(shí)現(xiàn)高效、精準(zhǔn)的膠層去除。

　　一、半導(dǎo)體等離子去膠機(jī)產(chǎn)品原理：

　　1.等離子體生成機(jī)制

　　氣體輝光放電：

　　在真空腔體內(nèi)通入工藝氣體，通過(guò)高頻電場(chǎng)（RF射頻或微波）激發(fā)氣體電離，形成等離子體。

　　等離子體組成：包含高能電子、離子、自由基、紫外光子和中性分子。

　　2.去膠機(jī)理

　　物理作用：

　　高能粒子（如離子）轟擊光刻膠表面，通過(guò)物理濺射破壞膠分子結(jié)構(gòu)，適用于厚膠層或硬質(zhì)光刻膠。

　　化學(xué)作用：

　　自由基或活性離子與光刻膠發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，分解膠分子為揮發(fā)性物質(zhì)，適用于高精度圖形或復(fù)雜材料。

　　3.選擇性去除

　　通過(guò)調(diào)節(jié)氣體種類、功率、處理時(shí)間及腔體壓力，實(shí)現(xiàn)對(duì)不同光刻膠（正膠/負(fù)膠）或底層材料（如硅、金屬）的選擇性去除，避免損傷襯底。

　　二、半導(dǎo)體等離子去膠機(jī)產(chǎn)品結(jié)構(gòu)：

　　1.核心組件

　　真空腔體：

　　不銹鋼或鋁合金材質(zhì)，用于維持反應(yīng)環(huán)境；

　　配備觀察窗（石英或耐蝕玻璃）以便實(shí)時(shí)監(jiān)控。

　　氣體分配系統(tǒng)：

　　質(zhì)量流量控制器（MFC）：精確調(diào)節(jié)工藝氣體流量；

　　進(jìn)氣口與排氣口：確保氣體均勻分布并快速排出反應(yīng)產(chǎn)物。

　　射頻（RF）電源：

　　提供高頻電場(chǎng)，激發(fā)氣體產(chǎn)生等離子體；

　　功率可調(diào)，控制等離子體密度和能量。

　　電極結(jié)構(gòu)：

　　電容耦合式（CCP）：上下電極板間形成電場(chǎng)，適合大面積均勻處理；

　　感應(yīng)耦合式（ICP）：螺旋線圈產(chǎn)生高密度等離子體，用于復(fù)雜圖形或深孔結(jié)構(gòu)。

　　樣品臺(tái)：

　　靜電吸附或機(jī)械固定晶圓；

　　可旋轉(zhuǎn)或傾斜，確保等離子體均勻覆蓋。

　　2.輔助系統(tǒng)

　　真空系統(tǒng)：

　　機(jī)械泵+分子泵組，實(shí)現(xiàn)腔體真空度≤10Pa；

　　壓力傳感器實(shí)時(shí)監(jiān)控并反饋控制。

　　冷卻系統(tǒng)：

　　水冷電極和腔體，防止高溫?fù)p傷設(shè)備或樣品；

　　部分機(jī)型配備樣品冷卻臺(tái)，避免過(guò)熱導(dǎo)致襯底損傷。

　　控制系統(tǒng)：

　　觸摸屏或PC端界面，設(shè)置參數(shù)（氣體流量、功率、時(shí)間、壓力）；

　　數(shù)據(jù)記錄與追溯功能，支持Recipe配方存儲(chǔ)。

　　3.安全與環(huán)保設(shè)計(jì)

　　防護(hù)措施：

　　緊急停機(jī)按鈕、過(guò)載保護(hù)、氣體泄漏報(bào)警；

　　腔體啟閉聯(lián)鎖，防止誤操作。

　　廢氣處理：

　　集成噴淋塔或活性炭過(guò)濾裝置，處理反應(yīng)產(chǎn)生的腐蝕性氣體。